mos 发热严重 怎么处理

1、首先，更换驱动限流电阻，由于当时手里当时没有4.99欧电阻，更换为22欧的电阻后，G极波形所示，Ton和Toff已经接近要求的时间，MOS管24V时带载27欧，输出功率21.3W，输出电压正常，MOS管基本不发热。

2、然后，是电路设计的问题，就是让MOS管工作在线性的工作状态，而不是在开关状态。这也是导致MOS管发热的一个原因。如果N-MOS做开关，G级电压要比电源高几V，才能完全导通，P-MOS则相反。没有完全打开而压降过大造成功率消耗，等效直流阻抗比较大，压降增大，所以U*I也增大，损耗就意味着发热。

3、然后，频率太高，主要是有时过分追求体积，导致频率提高，MOS管上的损耗增大了，所以发热也加大了；没有做好足够的散热设计，电流太高，MOS管标称的电流值，一般需要良好的散热才能达到。所以ID小于最大电流，也可能发热严重，需要足够的辅助散热片，MOS管的选型有误，对功率判断有误，MOS管内阻没有充分考虑，导致开关阻抗增大。

4、然后，MOS管工作状态分析，MOS管工作状态有四种，开通过程、导通状态、关断过程，截止状态；MOS管主要损耗：开关损耗，导通损耗，截止损耗，还有雪崩能量损耗，开关损耗往往大于后者；MOS管主要损坏原因：过流持续大电流或瞬间超大电流，过压D-S，G-S被击穿，静电个人认为可属于过压。

5、然后，MOS管工作过程非常复杂，里面变量很多，总之开关慢不容易导致米勒震荡，但开关损耗会加大，发热大；开关的速度快，损耗会减低，但是米勒震荡很厉害，反而会使损耗增加。驱动电路布线和主回路布线要求很高，最终就是寻找一个平衡点，一般开通过程不超过1us。

6、最后，MOS管的重要参数及选型，Qgs：栅极从0V充电到对应电流米勒平台时总充入电荷，这个时候给Cgs充电；Qg颊俄岿髭d：整个米勒平台的总充电电荷（不一定比Qgs大，仅指米勒平台）；Qg：总的充电电荷，包含Qgs，Qgd，以及之外的其它；上述三个参数的单位是nc（纳库），一般为几nc到几十nc；Rds（on）：导通内阻，这个耐压一定情况下，越小损耗；总的选型规则：Qgs、Qgd、Qg较小，Rds（on）也较小的管。